無源高速HF RFID芯片及關(guān)鍵電路研究與設(shè)計(jì).pdf

1、高頻射頻識(shí)別（Radio Frequency Identification, RFID）技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域近年來不斷拓展，并逐漸與傳感器技術(shù)、生物醫(yī)療技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等進(jìn)行集成。不斷新興的復(fù)雜應(yīng)用提高了對(duì)高頻RFID標(biāo)簽攜帶數(shù)據(jù)量及通信速率的要求，因此高通信速率高頻RFID標(biāo)簽芯片具有廣闊的應(yīng)用前景。本文研究了無源高速HF RFID標(biāo)簽芯片的實(shí)現(xiàn)，采用UMC0.18μm Embedded EEPROM1.8V/5V2P6M LLP工藝完成了

2、模擬前端中整流電路、穩(wěn)壓電路、時(shí)鐘產(chǎn)生電路中CPPLL的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。
　　首先，本文分析了傳統(tǒng)高頻RFID系統(tǒng)（ISO/IEC15693、ISO/IEC14443 Type A/B標(biāo)準(zhǔn)）的ASK調(diào)制方式及其對(duì)提高高頻RFID系統(tǒng)通信速率的制約，提出了采用片段循環(huán)（Segment Circle）8PSK調(diào)制方式的方法實(shí)現(xiàn)高速高頻RFID，并對(duì)無源高速高頻RFID標(biāo)簽芯片的架構(gòu)進(jìn)行了設(shè)計(jì)。
　　然后，設(shè)計(jì)了NMOS柵交叉連接結(jié)構(gòu)的

3、整流電路，其PCE達(dá)到47.54％。此外設(shè)計(jì)了 LDO結(jié)構(gòu)的低功耗穩(wěn)壓電路輸出穩(wěn)定的1.8V電源電壓，其最大負(fù)載電流可達(dá)1mA，空載下的靜態(tài)電流小于2μA，負(fù)載調(diào)整率小于3%，線性調(diào)整率小于0.5%，溫度系數(shù)為538.4ppm，低頻PSR值低至-50dB。
　　最后，采用Top-Down的方法完成了時(shí)鐘產(chǎn)生電路中的三階二類CPPLL的設(shè)計(jì)。采用MATLAB數(shù)學(xué)建模和Verilog-AMS行為級(jí)建模研究了鎖相環(huán)的環(huán)路特性。采用復(fù)位延