D-D-D-T中子發(fā)生器伴隨粒子法中子產(chǎn)額測量及其n-γ場的蒙特卡羅模擬研究.pdf

1、首先研究了D-D/D-T中子發(fā)生器中子產(chǎn)額及中子注量率監(jiān)測的伴隨粒子法測量方法，在研究了135°伴隨粒子法中子產(chǎn)額及中子注量率監(jiān)測各向異性修正因子計(jì)算的理論和方法的基礎(chǔ)上，利用Matlab軟件平臺(tái)，分別發(fā)展了用于D-D和D-T中子監(jiān)測的伴隨粒子測量法各向異性修正因子的計(jì)算程序DDApRRR.m和DTAaaa.m。應(yīng)用所開發(fā)的計(jì)算機(jī)程序，分別計(jì)算給出了厚靶條件下，入射氘能量20-700keV范圍內(nèi)，135°伴隨粒子法D-D/D-T中子產(chǎn)額

2、監(jiān)測的各向異性修正因子，同時(shí)也給出了0°-180°范圍，每隔5°的各方向上中子注量率測量的各向異性修正因子。對(duì)計(jì)算結(jié)果的精度進(jìn)行了分析，給出了計(jì)算結(jié)果的最大誤差。
　　 其次，建立了135°伴隨粒子法中子產(chǎn)額監(jiān)測的實(shí)驗(yàn)裝置，在蘭州大學(xué)D-D/D-T強(qiáng)流中子發(fā)生器上，分別針對(duì)D-D和D-T反應(yīng)中子，進(jìn)行了初步實(shí)驗(yàn)測試，給出了D-D反應(yīng)伴隨質(zhì)子能譜和D-T反應(yīng)伴隨α粒子能譜，結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)誤差和各向異性修正因子的計(jì)算誤差，分別給出

3、了D-D和D-T中子測量所能達(dá)到的最好精度。
　　 最后，根據(jù)厚靶條件下D-T反應(yīng)的能譜和角分布數(shù)據(jù)，建立了氚鈦厚靶D-T中子源中子發(fā)射模型，應(yīng)用MCNP程序，模擬研究了蘭州大學(xué)D-T強(qiáng)流中子發(fā)生器在小靶條件下、氘束流能量260keV時(shí)的中子-γ混合場分布，給出了靶室中平面0-360°范圍的中子、γ的能譜和角分布，給出了垂直于靶室中平面的三個(gè)特定平面內(nèi)的中子、γ的能譜和角分布。模擬了中子、γ通量沿徑向的分布，給出幾個(gè)特定方向了0