對(duì)羥基苯甲酸聚合物-鉑修飾硅傳感電極的制備及應(yīng)用研究.pdf

1、有機(jī)分子聚合物修飾電極是近年來電化學(xué)傳感器的一個(gè)研究熱點(diǎn)，基于共價(jià)鍵形成的高質(zhì)量的雜化鏈接在電極表面形成的有機(jī)分子層性能穩(wěn)定，會(huì)給傳統(tǒng)的電極材料帶來更多新的傳感功能。
　　對(duì)羥基苯甲酸有一個(gè)氧化活性官能團(tuán)羧基和一個(gè)還原性官能團(tuán)羥基，因而有較高的氧化還原活性，可以將其修飾到電極材料表面增加電極的化學(xué)活性，從而實(shí)現(xiàn)電極對(duì)一些物質(zhì)的識(shí)別。
　　本文運(yùn)用了在電化學(xué)方面技術(shù)成熟的循環(huán)伏安法將聚對(duì)羥基苯甲酸(PHBA)電沉積在Pt/n-

2、n+-Si裸電極的表面，制備了PHBA/Pt/Si和PHBA/CuHCF/Si兩種光電傳感，用去掉參比電極的兩電極體系分別研究了對(duì)鄰苯二酚（CC）和生物小分子過氧化氫（H2O2）的光電響應(yīng)。該電極制備的意義在于發(fā)展了 PHBA在電化學(xué)傳感方面的應(yīng)用，并為實(shí)現(xiàn)苯二酚和過氧化氫傳感器的微型化提供了參考。
　　該論文的研究?jī)?nèi)容包含以下兩部分：
　　1. PHBA/Pt/Si電極的制備以及對(duì)CC的光電響應(yīng)
　　用技術(shù)成熟的循環(huán)

3、伏安技術(shù)（CV）在真空蒸鍍了金屬鋁和貴重金屬鉑金薄膜的n-n+-Si型硅電極上電沉積對(duì)羥基苯甲酸，得到PHBA/Pt/Si電極，并用掃描式電子顯微鏡圖對(duì)PHBA/Pt/Si電極和Pt/Si電極表面進(jìn)行了觀察對(duì)比，用CV和計(jì)時(shí)電流法研究了此電極對(duì)CC的光電響應(yīng)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，光照條件下，不用外加電壓， PHBA/Pt/Si電極對(duì) CC響應(yīng)迅速，且在 CC濃度范圍是2×10-5 M-3.4×10-4 M時(shí)表現(xiàn)出良好的線性關(guān)系，檢測(cè)限是2μM

4、（S/N=3）。但PHBA/Pt/Si電極對(duì)對(duì)苯二酚（HQ）也有一定程度的響應(yīng)。
　　2. PHBA/CuHCF/Si電極制備和對(duì)H2O2的光電檢測(cè)
　　該部分實(shí)驗(yàn)將PHBA和鐵氰化銅（CuHCF）共同電沉積在Pt/Si電極上制備了PHBA/CuHCF/Si電極，用掃描電子顯微鏡（SEM）表征了該電極的表面形貌，在光照條件下安培檢測(cè)法研究該電極對(duì) H2O2的電流響應(yīng)，結(jié)果表明PHBA/CuHCF/Si電極在葡萄糖（Gluco