適用于SiC薄膜生長的RTCVD裝置及工藝探索.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要探索適用于碳化硅薄膜生長的RTCVD裝置，并對生長工藝進行了初步探索。主要工作包括：1．針對本課題要求的RTCVD設備的反應腔大、工作溫度高和升溫速度快的特點，首先對設備升溫條件進行能量計算；接著從反射腔材料選擇和形狀設計等方面出發(fā)，利用計算機模擬最終設計出為每根燈管分別反射輻射能的圓柱面形反射罩。通過制作反射罩進行加熱試驗，最終用14根2000w的碘鎢燈在1分鐘內將樣品加熱到1200℃。2．針對以前氣路堵塞的問題設計并制作了氣

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