復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文有序組裝超薄膜的鐵電性研究姓名李淑紅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)光學(xué)指導(dǎo)教師馬世紅20030516有序組裝超薄膜的鐵電性研究摘要回線，說(shuō)明它們都具有鐵電性，并且它們各自對(duì)應(yīng)的剩余極化強(qiáng)度大小分別為9400180650770450和15GCM2。由此可以推知BEMN和M獷...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 白雪皚皚 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-05 / 9人氣
本論文主要針對(duì)FRAM用PZT鐵電薄膜進(jìn)行了研究，對(duì)薄膜厚度和晶粒尺寸與薄膜的鐵電性和極化反轉(zhuǎn)電流的關(guān)系進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和理論分析。對(duì)控制薄膜不同取向生長(zhǎng)的機(jī)理進(jìn)行了探討，并對(duì)薄膜結(jié)晶取向?qū)﹁F電性和疲勞的影響進(jìn)行了討論。通過(guò)傳統(tǒng)退火和快速退火方式，成功的制備了...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 苦淚 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 9人氣
湖北大學(xué)碩士學(xué)位論文KNNSTO的弛豫鐵電性能姓名張永光申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)凝聚態(tài)物理學(xué)指導(dǎo)教師楊昌平曹萬(wàn)強(qiáng)20080501ABSTRACT1一XNAO．5硒．5NB03XSRTI031一XKNNXSTOFERROELECTRICRELAXORSWEREPREPAREDBYSOLIDSTATEREACTION．1XKNNXSTOSHOWPUREPEROVSKITESTRUCTUREF...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 大多與我無(wú)關(guān) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-12 / 7人氣
與傳統(tǒng)的EEPROM和FLASH揮發(fā)性存儲(chǔ)器相比，非揮發(fā)性鐵電存儲(chǔ)器（FERAM）具有抗輻射、低功耗、快速讀寫(xiě)操作、低操作電壓等優(yōu)異特性，從而更適合嵌入式應(yīng)用的要求。本論文對(duì)應(yīng)用于鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的關(guān)鍵組成部分PZT鐵電薄膜進(jìn)行了第一性原理計(jì)算以及對(duì)PZT薄膜電容制備工...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 別說(shuō)愛(ài)我 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 13人氣
復(fù)鐵電性的磁電子材料可以在電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用下誘導(dǎo)出磁化、電極化的現(xiàn)象這類(lèi)材料同時(shí)具有鐵電和鐵磁材料的性能可以應(yīng)用到傳感器波導(dǎo)器件轉(zhuǎn)換器相位倒相器變頻器調(diào)節(jié)器等在無(wú)線電電子學(xué)光電子學(xué)微波電子學(xué)等領(lǐng)域的發(fā)展具有重要意義這些材料很少存在于自然界中為了達(dá)到...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 發(fā)尾都羞愧 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 4人氣
在當(dāng)今高速發(fā)展的信息社會(huì)，信息存儲(chǔ)器件對(duì)材料提出了更高的要求。對(duì)于高密度鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FERAM）來(lái)講，BIFEO3是一個(gè)非常有發(fā)展前景的材料。BIFEO3的鐵電居里轉(zhuǎn)變溫度為1104K，剩余極化值（PR）高達(dá)100ΜCCM2，而且是一種環(huán)境友好型材料。研究發(fā)現(xiàn)，由于外延應(yīng)力...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 不要拒絕我 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 11人氣
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下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 想說(shuō)就大倒苦水 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-05 / 3人氣
本論文利用射頻磁控濺射的方法分別制備了FECA、FEBA、BACA三個(gè)系列的單摻及其共摻的LINBO3薄膜。利用XRD、XPS、XAFS、SQUID、AGILENT4294A阻抗分析儀和TF2000鐵電分析儀等結(jié)構(gòu)表征及分析方法系統(tǒng)的研究了所有摻雜LINBO3薄膜樣品的結(jié)構(gòu)及鐵電鐵磁性能。主要內(nèi)容有（1...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： Sinner罪人 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 3人氣
鐵電存儲(chǔ)器FERAM作為新一代的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器跟其他的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比具有很大的優(yōu)勢(shì)和十分廣闊的應(yīng)用前景鐵電薄膜是鐵電存儲(chǔ)器最核心的部分之一制備高性能的鐵電薄膜是鐵電存儲(chǔ)器能夠得到廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)。本文在PT111TISIO2SI100基底上利用化學(xué)溶液沉積法CSD成功制備...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 朝朝 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 5人氣
低維自旋阻挫系統(tǒng)由于其豐富的物理內(nèi)涵以及有限溫度下呈現(xiàn)的有趣熱力學(xué)行為而受到了廣泛的研究。作為新型功能材料的分子磁性材料和多鐵性材料，其中的許多化合物都與自旋阻挫緊密聯(lián)系，因此對(duì)這類(lèi)化合物的研究不僅有利于對(duì)阻挫現(xiàn)象的理解而且對(duì)于實(shí)際材料的設(shè)計(jì)以及...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 一山雜物 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 8人氣
BIFEO3作為少數(shù)在室溫下具有鐵電和反鐵磁性質(zhì)的鈣鈦礦型材料之一在信息存儲(chǔ)、自旋電子器件和傳感器等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。本學(xué)位論文通過(guò)脈沖激光沉積PLD技術(shù)在單晶SRTIO3基片上以LA065SR035MNO3作為底電極生長(zhǎng)了BIFEO3薄膜對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)及其鐵電性質(zhì)進(jìn)行了研究論...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 安穩(wěn) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 7人氣
采用溶膠凝膠技術(shù)結(jié)合快速熱處理RTA及復(fù)合熱處理工藝在PTTISIO2SI襯底上制備出不同擇優(yōu)取向的GD、YB及GD與NB復(fù)合摻雜PBZR052TI048O3鐵電薄膜簡(jiǎn)記為PGZT、PYZT、PGNZT，1MOL％GD摻雜的PZT薄膜簡(jiǎn)記為PGZT1，以此類(lèi)推。熱分解以及RTA熱處理溫度對(duì)鈣鈦礦相摻雜PZT薄膜的...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 眼中星光嘴角笑意 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 8人氣
作為代表性的高K材料，氧化鉿HFO2已被廣泛應(yīng)用于微電子工業(yè)。最近采用特殊工藝制備的摻雜HFO2薄膜被發(fā)現(xiàn)具有明顯的鐵電性質(zhì)。新型鐵電材料與硅基CMOS集成電路工藝良好的兼容性對(duì)于集成鐵電學(xué)的發(fā)展具有重要意義，預(yù)期將帶來(lái)鐵電存儲(chǔ)器研究的新突破。與鈣鈦礦型鐵電材...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 月圓了殘 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 27人氣
近年來(lái)，鐵電薄膜已成為新型功能材料及微器件的研究熱點(diǎn)。然而，可靠性問(wèn)題如疲勞和印記被認(rèn)為是器件應(yīng)用的障礙。因此，理解這些失效的物理機(jī)制對(duì)鐵電材料以及鐵電薄膜存儲(chǔ)器的應(yīng)用和提高鐵電材料及微器件的性能都是非常重要的。鐵電體的自發(fā)極化是鐵電材料的一個(gè)重...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 略 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 16人氣
多鐵性材料具有自發(fā)磁電耦合的性質(zhì)，對(duì)發(fā)展基于鐵電磁性集成效應(yīng)的新型信息存儲(chǔ)處理及磁電器件等技術(shù)具有巨大的應(yīng)用潛力。近些年，由于實(shí)驗(yàn)技術(shù)的改進(jìn)及理論研究的完善，使人們?cè)僖淮问捌鹆藢?duì)這個(gè)古老而又年輕課題的研究興趣，其中具有阻挫結(jié)構(gòu)的多鐵性材料由于其豐...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 想跟你鬼混 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 5人氣
鐵酸鉍BIFE03是一種在室溫下同時(shí)具有鐵電性和磁性的典型的單相多鐵性材料。鐵電性與磁性之間存在的磁電耦合效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)鐵電性和磁性的相互調(diào)控，在信息存儲(chǔ)器、傳感器、自旋電子學(xué)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。但是，鉍離子的揮發(fā)和氧空位的產(chǎn)生導(dǎo)致難以制備出純相的B...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 作嘔 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 5人氣
鉍層狀結(jié)構(gòu)鐵電體BLSFS鐵電薄膜由于在鐵電非揮發(fā)存儲(chǔ)器、熱釋電器件以及壓電器件領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景而成為國(guó)際功能材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。它具有優(yōu)良的壓電、鐵電、熱釋電和電光等性能同時(shí)還具有較高的耐擊穿強(qiáng)度和相對(duì)高的介電常數(shù)可廣泛應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DY...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 只是你 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 13人氣
鐵電存儲(chǔ)器具有高密度、高讀寫(xiě)速度、低功耗、低成本等優(yōu)點(diǎn)被學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)為最有潛力的下一代存儲(chǔ)器之一。隨著現(xiàn)代科技的發(fā)展對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器如鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管FERROELECTRICELECTRICFIELDEFFECTTRANSISTFEFET存儲(chǔ)器的需求與日俱增從而導(dǎo)致了對(duì)新的存儲(chǔ)器材料的...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 歸來(lái)鶴 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 6人氣
中圈料孽艘求犬璽UNIVERSITYOFSCIENCEANDTECHN0109YOFCHINA■．』■LI．一J～論文題目作者姓名學(xué)科專業(yè)導(dǎo)師姓名BIFE03基固溶體的制備及其≥乏鐵電性和磁性研究覃燕鳳凝聚態(tài)物理?xiàng)罱苎芯繂T完成時(shí)間三里二仝千}鼻＼廠．、／1F、___～0，II、●／／叫一．／，I．RJ～●...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畫(huà)月下獨(dú)酌 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-08 / 21人氣
在過(guò)去半個(gè)世紀(jì)的時(shí)間里，以硅集成電路為核心的微電子技術(shù)取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。半導(dǎo)體芯片的集成度不斷提高，伴隨而來(lái)的是其基本構(gòu)成單元MOS器件特征尺寸的不斷縮小。當(dāng)MOS器件從微米尺度進(jìn)入到納米尺度時(shí)，由短溝道效應(yīng)和量子效應(yīng)所引發(fā)的一系列問(wèn)題變得不容忽視...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 山有木兮之阿 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 8人氣
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