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黃晶果的栽培與管黃晶果的栽培與管理羅浮山果木世界曾云鋒一、前言一、前言黃晶果POUTERIACAIMITORADLK又稱加蜜蛋黃果、黃金果、黃星蘋果，中國及新加坡名為黃晶果，英名ABIU或CAIMITO，屬山欖科SAPOTACEAE膠木屬POUTERIA，為原產亞馬遜河上游的熱帶果樹，主要分布于...
下載價格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-13 / 13人氣
任務一金屬的晶體結構1金屬的晶體結構2金屬的實際晶體結構3純金屬的結晶4金屬的同素異構轉變任務二鐵碳合金狀態(tài)圖1二元合金相圖2、鐵碳相圖任務三金屬的塑性變形與再結晶,學習情境二單元二金屬的晶體結構與結晶,二元合金相圖,相圖指表達處于復相平衡狀態(tài)下的物系中，...
下載價格：4 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-01-06 / 77人氣
本論文以底柵型非晶硅薄膜晶體管ASITFT器件為基礎，對ASITFT模型進行研究。將ASI材料場效應遷移率小于1CM2VS作為限制條件，利用MATLAB軟件編程實現模型閾上區(qū)域初始參數的自動化提取，在此基礎上利用參數提取軟件進行ASITFT模型參數的分區(qū)域提取，得到了與實測數據吻...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 持傘貓 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
本文在落管無容器處理條件下，對CUSB、NIMO、COSN和COSI等四種不同類型合金的快速共晶生長進行了系統深入的研究，主要取得以下研究結果通過研究CUSB合金的快速凝固過程，揭示了兩種特殊二元共晶的快速生長特征及其組織演變規(guī)律。對于CU31％SB共晶合金，體積比為1499...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 窺鏡 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
隸軔大嚶碩士學位論LLLLLTILLLLLLBLLLTIKLLLQLIIIQLLKLQLLLLLLLQLLLLLLY2272424文高性能微晶薄膜晶體管技術研究東南大學學位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是我個人在導師指導_卜進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標注和致謝的地...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 尋匿 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
本課題重點研究了適合制作真空開關管絕緣外殼的微晶玻璃；微晶玻璃的成型與金屬封接同時完成的工藝；以及封接金屬的處理工藝。本課題研究了能和膨脹系數為102107℃的鐵鎳合金（485合金）匹配封接的高膨脹LI2OAL2O3SIO2系統微晶玻璃，研究了各組份變化對微晶玻璃性能...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 從未共你飲過冰 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 4人氣
由于封閉式母線的自身結構的特點在強大的交變電磁場下感應產生大量的功率損耗和發(fā)熱產生的溫升對母線的工作性能以及可靠性都有很大的影響。作為大電流傳輸電設備發(fā)電機出口母線的磁屏蔽發(fā)熱溫升和散熱問題是考驗母線能否長期穩(wěn)定運行的關鍵因素。因此對封閉母線的研...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 殃及 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 3人氣
非晶氧化物半導體AOS材料具有高遷移率、與柔性襯底兼容和可大面積沉積等優(yōu)點，已作為薄膜晶體管TFT的溝道層被應用于顯示器領域。與已產業(yè)化的INGAZNO非晶氧化物TFT比較，ZNSNOTFT具有無IN、廉價、無毒等優(yōu)勢。然而ZNSNO中存在較高的缺陷態(tài)濃度導致器件性能差，需要添...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 讞辭 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
本文重點對以銦鋅氧化物作為溝道層的氧化物薄膜晶體管進行研究，首先進行了溝道層、絕緣層材料的制備和性能分析，然后再結合掩模制備了薄膜晶體管器件，從溝道層制備條件、器件結構方面對薄膜晶體管性能進行了優(yōu)化。首先，在室溫下于玻璃基板上采用直流反應磁控濺射I...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 涸淵 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
該論文主要內容分為四章是為了配合美國3DROM公司關于3DROM的研究與開發(fā)非晶硅二極管是3DROM的重要組成部分它性能的好壞決定了3DROM能否實現EPROM電可擦除只讀存儲器及單位面積存儲容量的大小該文主要內容分為四章首先在第一章介紹了非晶硅薄膜二極管的發(fā)展現狀和特點...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 記住我 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 11人氣
相比于PN結二極管，由多數載流子導通的肖特基二極管具有響應速率快，正向導通壓降低等優(yōu)點，在直流、微波領域得到廣泛應用。近年來以非晶INGAZNOAIGZO為代表的非晶氧化物半導體由于其高電子遷移率＞10CM2VS、可大面積均勻成膜、制備溫度低、可見光透明、柔性等優(yōu)點引...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 殘志 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣
非晶氧化物薄膜晶體管TFTS，特別是非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管AIGZOTFTS被普遍認為可替代傳統的非晶硅薄膜晶體管ASITFTS而用于下一代包括有源液晶顯示（AMLCD）和有源有機電致發(fā)光顯示AMOLED等在內的平板顯示器。為了適應即將到來的量產需求，仍有許多與非晶氧化物薄膜晶...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 尋匿 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 14人氣
納米材料和納米結構以其特異的物理化學性質引起研究者的廣泛關注。納米組裝體系的結構與性質研究成為現在研究的熱點。由于納米結構材料是獲取并發(fā)展納米器件的基礎，低維納米結構材料又具有獨特的物理和化學性質，近年來，該方面研究受到了高度的重視，多種一維納米...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 染了絕情 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 11人氣
隨著平板顯示技術的快速發(fā)展，高分辨率和低功耗成為了新的技術趨勢，這與工藝參數、面板材料、功耗設計等有著極大的關系。非晶硅ASI薄膜作為薄膜晶體管TFT的有源層，其良好的性能對TFT的電學特性起到了非常重要的作用。高性能的ASITFT是整個有源驅動液晶顯示器AMLCD...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 滿目山河遠 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 10人氣
分類號TG1398密級UDC編號12–080503–21M學位論文碳納米管碳納米管鎂基非晶復合材料的制備及性能研究鎂基非晶復合材料的制備及性能研究趙平指導教師姓名指導教師姓名劉金海教授河北工業(yè)大學申請學位級別申請學位級別碩士學科、專業(yè)名稱學科、專業(yè)名稱材料加工工程論...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 樹葉的顫動 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 3人氣
氧化鋅ZNO由于高遷移率和低溫工藝是一種理想的薄膜晶體管TFTS溝道層材料。同時，ZNO也非常容易摻雜用于透明電極，且將其它氧化物與ZNO化合不僅可以調節(jié)禁帶寬度和功函數等參數，還可以得到多成分的非晶透明導電氧化物TCOS。本文主要的研究工作一、制備ZNOTFTS并研究...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 懷里溫度太低 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 5人氣
本論文分兩個部分第一部分對非晶氮化鎵AGAN薄膜的制備與光學性能進行了研究；第二部分探索了采用LANGMUIRBLODGETTLB技術對單壁碳納米管的排布和機理。近年來，以GAN為代表的第三代半導體材料由于其獨特的物理特性和在光電應用領域的潛力成為科學研究的熱點和前沿。本...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 青絲盼 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 8人氣
上海交通大學碩士學位論文非晶氧化物薄膜晶體管熱穩(wěn)定性的研究碩士研究生胡哲學號1120349004導師董承遠申請學位學術碩士學科電路與系統所在單位電子工程系答辯日期2015年1月16日授予學位單位上海交通大學上海交通大學上海交通大學學位論文原創(chuàng)性聲明學位論文原創(chuàng)性聲...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 佳人傾城 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 7人氣
隨著人們對平板顯示（FPD）的尺寸和分辨率的要求越來越高，在更大尺寸和更高分辨率的顯示領域，顯示驅動用的薄膜晶體管（TFT）的電極線電阻要最大程度的減小。另一方面，非晶銦鎵鋅氧（AIGZO）薄膜晶體管憑借其良好的性能（如較高的場效應遷移率、大面積均勻性、可見...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 自己拉纖 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 5人氣
當前，顯示技術迅猛發(fā)展，大尺寸、柔性化以及透明化顯示器已成為重要的研究熱點。傳統的非晶硅材料遷移率低、透光性差，無法滿足顯示需求。氧化銦鎵鋅IGZO薄膜由于具備遷移率高、均勻性好、在可見光范圍內透光率高等優(yōu)點而受到廣泛的關注。本論文采用IGZO薄膜作為有...
下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 天使綜合征 / 發(fā)布時間：2024-03-05 / 5人氣
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