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1、掩模-硅片對(duì)準(zhǔn)技術(shù)作為光刻機(jī)三大核心技術(shù)之一,一直是光刻機(jī)的研究熱點(diǎn)。掩模臺(tái)對(duì)準(zhǔn)時(shí),其微動(dòng)臺(tái)平面三自由度微位移測(cè)量直接影響到光刻機(jī)的套刻精度和圖形尺寸。為了滿足微動(dòng)臺(tái)更換掩模版時(shí)的測(cè)量要求,本文設(shè)計(jì)了基于線性霍爾傳感器的平面三自由度測(cè)量系統(tǒng),主要完成的工作如下:
通過對(duì)單自由度微位移測(cè)量裝置進(jìn)行電磁場(chǎng)仿真,得出了磁感應(yīng)強(qiáng)度空間分布的形式,驗(yàn)證了單自由度測(cè)量方案可行性。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了平面三自由度測(cè)量的傳感器布局方案,針對(duì)測(cè)量平
2、面內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度的理想分布模型于實(shí)際分布模型不一致的問題,提出了一種基于橢圓函數(shù)擬合的微動(dòng)臺(tái)平面三自由度位置解耦方法,通過對(duì)測(cè)量平面磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行高密度采樣,利用橢圓函數(shù)對(duì)磁感應(yīng)強(qiáng)度分布模型進(jìn)行擬合,為建立傳感器測(cè)量值與微動(dòng)臺(tái)位置的對(duì)應(yīng)關(guān)系提供了理論設(shè)計(jì)依據(jù);根據(jù)控制系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率的要求,設(shè)計(jì)了基于FPGA的模塊化線性霍爾傳感器信號(hào)處理卡,實(shí)現(xiàn)了高靈敏度、高采樣率、高傳輸速率測(cè)量;搭建了單自由度微位移測(cè)量裝置實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及平面三自由度綜合測(cè)
3、試的實(shí)驗(yàn)平臺(tái),對(duì)測(cè)量系統(tǒng)的單自由度及平面三自由度分辨力和非線性度進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,驗(yàn)證了測(cè)量系統(tǒng)的正確性。
單自由度傳感器實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)線性霍爾傳感器距離磁鋼表面高度為8.0mm時(shí),傳感器在4.0mm的量程內(nèi)分辨力優(yōu)于1μm,非線性度為6.06%F.S.,補(bǔ)償后非線性度能達(dá)到0.08%F.S.。平面三自由度實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在±2mm平面測(cè)量范圍內(nèi),基于橢圓函數(shù)擬合的磁場(chǎng)曲線能夠較理想地反映磁感應(yīng)強(qiáng)度的真實(shí)分布狀況,平均擬合誤差優(yōu)
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