WO3基復(fù)合薄膜光電極的制備及性能研究.pdf

1、WO3半導(dǎo)體材料具有較窄的禁帶寬度和好的光穩(wěn)定性，在光電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域已有大量文獻(xiàn)報(bào)道。但由于其價(jià)帶能級(jí)位置比水的氧化電位低很多，因此對(duì)可見光利用率不高。此外，光生載流子的復(fù)合幾率大，導(dǎo)致其光催化效率不高。這些因素限制了它在光解水領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。本文采用溶膠-凝膠法制備WO3和BiVO4薄膜、原位反應(yīng)法制備NiWO4，研究制備工藝對(duì)WO3及其復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)及光吸收性能的影響。結(jié)果如下：
　　1）當(dāng)AMT和PEI的比例為1:1，基底為FT

2、O導(dǎo)電玻璃，550℃煅燒2h時(shí)， WO3薄膜的結(jié)晶度最好，由直徑為60nm左右的晶粒組成，呈疏松多孔的表面形貌，光學(xué)禁帶寬度約為2.75eV。
　　2） WO3/NiWO4復(fù)合薄膜的表面形貌和性能與前驅(qū)液即硝酸鎳酒精溶液的濃度有關(guān)，NiWO4以納米顆粒的形式附著在WO3晶粒表面，并滲入多孔的WO3薄膜中；在350~420nm可見光波段，隨著NiWO4含量的增加，吸收度呈下降趨勢(shì)。
　　3）在WO3基底上，BiVO4薄膜由直徑