2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩141頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、四腳狀氧化鋅晶須(T-ZnOw)是一種具有規(guī)整三維空間結(jié)構(gòu)的多功能無機晶體材料。但由于價格瓶頸,目前尚未得到廣泛的應(yīng)用。本課題針對T-ZnOw的研究現(xiàn)狀和廣闊的應(yīng)用前景,結(jié)合X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線能譜儀(EDS)、透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨透射電鏡(HRTEM)等現(xiàn)代先進表征手段,對T-ZnOw形貌和制備條件的相互關(guān)系進行了系統(tǒng)的實驗研究,探討了T-ZnOw的生長機理和生長過程,并全面研究了T-Z

2、nOw的光致發(fā)光性能、光催化氧化降解性能以及T-ZnOw/聚丙烯(PP)復(fù)合材料的力學(xué)性能和電學(xué)性能,取得了一系列研究成果: (1)鑒于目前微米級氧化鋅晶須的制備方法大多采用純度高的鋅粉、鋅?;蜾\塊等鋅一次資源為原料,導(dǎo)致T-ZnOw生產(chǎn)成本較高的現(xiàn)狀,我們嘗試以更廉價的鋅浮渣為原料,采用平衡氣量法研究了T-ZnOw的制備。考察了外部反應(yīng)環(huán)境、不同金屬鋅品位和雜質(zhì)含量的鋅浮渣對產(chǎn)品純度和形貌的影響規(guī)律,確定了用鋅浮渣制備微米級氧

3、化鋅晶須的最佳工藝條件,為鋅浮渣以及熱鍍浮渣、含鋅煙塵等鋅二次資源的回收利用找到了一條附加值更高的新途徑。 (2)本研究巧妙地利用了“真空度”與氧量的關(guān)系,首次提出和采用“真空控氧高溫氣相法”這一制備納米四腳狀氧化鋅晶須的新方法,以高純鋅粒為原料,進行了T-ZnOw的制備研究。考察了催化劑(分子篩)、反應(yīng)溫度和體系壓力等生長條件對產(chǎn)品生長形貌的影響,成功制備了形貌規(guī)整、尺寸可控的納米T-ZnOw,并確定了真空控氧高溫氣相法制備納

4、米T-ZnOw的最佳工藝。該法與已有的生產(chǎn)T-ZnOw的“鋅粉預(yù)氧化法”、“反應(yīng)器預(yù)熱法”相比,具有工藝流程短、操作簡單、消耗小等特點,且產(chǎn)品為納米T-ZnOw具有更為廣闊的應(yīng)用潛力;相對現(xiàn)有的靜態(tài)法,制備的納米氧化鋅晶須具有形貌規(guī)整、長徑比大、易實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的優(yōu)點。因此“真空控氧高溫氣相法”更具工業(yè)化應(yīng)用前景。 (3)分析探討了T-ZnOw的生長機理和生長過程。研究表明,T-ZnOw的結(jié)晶生長遵循氣-固生長機理(VS)。選區(qū)

5、衍射和高分辨電鏡結(jié)果表明,納米四腳狀氧化鋅晶須的中心部位存在多重孿晶結(jié)構(gòu),而針體為單晶,沿著〈001〉方向取向生長。針體生長模型有完整光滑面、非完整光滑面等生長界面結(jié)構(gòu)模型。其生長過程基本符合Iwanaga提出的八面體多重孿晶核模型。 (4)深入研究了T-ZnOw的光致發(fā)光性能。結(jié)果表明,室溫下納米T-ZnOw的光致發(fā)光表現(xiàn)為近帶邊紫外發(fā)光和可見光區(qū)的藍、綠光發(fā)射峰。其中,紫外發(fā)光峰為激子發(fā)光峰;寬化的藍光和綠光峰為晶體缺陷造成

6、,分別由VoZni締合缺陷和鋅填隙缺陷引起。納米T-ZnOw的紫外-可見吸收(消光)光譜上存在一尖銳吸收峰,表明我們所制備的納米T-ZnOw具有較高的結(jié)晶質(zhì)量。 (5)首次以納米T-ZnOw為光催化劑,研究了納米T-ZnOw對難降解的有機染料甲基橙的光催化氧化降解反應(yīng)動力學(xué),討論了光催化機理,考察了催化劑用量、粒徑和激發(fā)光源等因素對納米T-ZnOw的光催化氧化降解性能的影響。結(jié)果表明,納米T-ZnOw對甲基橙的光催化氧化降解反應(yīng)

7、遵循一級動力學(xué)規(guī)律;催化劑納米T-ZnOw的最佳用量為2g/L,且催化劑粒徑越小,降解效果越好。與具有相同粒徑的納米ZnO和TiO2的對比實驗表明,納米T-ZnOw具有高效和穩(wěn)定性好的特點,是一種更好的光催化劑,極具應(yīng)用開發(fā)潛力。 (6)通過熱壓成型工藝制備了T-ZnOw/PP復(fù)合材料,并深入研究了T-ZnOw的表面改性對復(fù)合材料的電學(xué)性能和力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,T-ZnOw能有效提高PP樹脂的導(dǎo)電性能。當T-ZnOw體積含

8、量僅為3%時,復(fù)合材料電阻率就已經(jīng)降低到109Ω·cm以下,比其他球狀導(dǎo)電填料粒子或者導(dǎo)電纖維用量少得多。在一定填充量范圍內(nèi),T-ZnOw/PP復(fù)合材料的介電常數(shù)隨著晶須含量的增大而增大;對T-ZnOw進行表面改性處理有利于降低復(fù)合材料的介電損耗;偶聯(lián)劑的分子結(jié)構(gòu)也影響復(fù)合材料的介電性能。不同偶聯(lián)劑改性的晶須對T-ZnOw/PP復(fù)合材料的力學(xué)性能影響不同。用A151改性時,兩相界面結(jié)合力最強,復(fù)合材料的拉伸強度和模量最大,而用鈦酸酯偶聯(lián)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論