鐵磁體∕有機(jī)半導(dǎo)體∕鐵磁體雙隧道結(jié)的隧穿磁電阻.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，特別是上世紀(jì)70年代以來電子半導(dǎo)體器件的發(fā)展，人們對(duì)電子器件的需求越來越廣泛。而鐵磁體∕有機(jī)半導(dǎo)體材料成了電子器件研發(fā)的主要課題。鐵磁體∕有機(jī)半導(dǎo)體具有易合成，存儲(chǔ)量大等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)及研究。
　　本文通過理論模型分析與計(jì)算，采用Slonczwski的自由電子模型理論，利用量子隧穿方法來研究鐵磁體（FM）∕有機(jī)半導(dǎo)體（OSE）∕鐵磁體（FM）雙隧道結(jié)磁電阻(TMR)。在雙隧道結(jié)磁電阻中，有機(jī)半導(dǎo)體（O

2、S E）看成方勢(shì)壘，通過Rashba自旋-軌道耦合效應(yīng)、轉(zhuǎn)移矩陣法求出透射系數(shù)和隧穿磁電阻。
　　當(dāng)自旋-軌道耦合強(qiáng)度為2.0，磁化偏角為0時(shí)，隧穿磁電阻取得較小值，磁化偏角為л/2時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值，磁化偏角為л時(shí)，隧穿磁電阻取得最小值。當(dāng)磁化偏轉(zhuǎn)角為л/6，耦合強(qiáng)度為0時(shí)，隧穿磁電阻取得較大值，耦合強(qiáng)度為1.0時(shí)，隧穿磁電阻取得最小值，耦合強(qiáng)度為2.0時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值；當(dāng)磁化偏轉(zhuǎn)角度為л/4，耦合強(qiáng)度為0時(shí)，隧穿

3、磁電阻取得最小值，耦合強(qiáng)度為2.0時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值；當(dāng)磁化偏角為2л/3，耦合強(qiáng)度為0時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值，耦合強(qiáng)度為2.0時(shí)，隧穿磁電阻取得最小值。
　　在內(nèi)部電場(chǎng)作用下，當(dāng)耦合強(qiáng)度為2.0，磁化偏角為0時(shí)，隧穿磁電阻隨著自旋極化率增大呈現(xiàn)線性增加；磁化偏角為л時(shí)，隧穿磁電阻隨著自旋極化率增大呈現(xiàn)線性減小。
　　在外部電場(chǎng)作用下，當(dāng)耦合強(qiáng)度為1.5，外加偏壓為0.2V,磁化偏角為0時(shí)，隧穿磁電阻取得較小值，磁化

4、偏角為л/2時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值，磁化偏角為л時(shí)，隧穿磁電阻取得最小值。當(dāng)耦合強(qiáng)度為3.0，磁化偏角為л/4，外加偏壓為0時(shí)，隧穿磁電阻取得最小值，外加偏壓為0.8V時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值；當(dāng)耦合強(qiáng)度為3.0，磁化偏角為л/2，外加偏壓為0時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值，外加偏壓為0.8V時(shí)，隧穿磁電阻取得最小值；當(dāng)耦合強(qiáng)度為3.0，磁化偏角為3л/4,外加偏壓為0時(shí)，隧穿磁電阻取得最小值，外加偏壓為0.8V時(shí)，隧穿磁電阻取得最大值。<