電子技術(shù)部分復(fù)習(xí)new

1、常用半導(dǎo)體器件 常用半導(dǎo)體器件*半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半導(dǎo)體。自然界中屬于半導(dǎo)體的物質(zhì)有很多種類(lèi)，目前用來(lái)制造半導(dǎo)體器件的材料大多是提純后的單晶型半導(dǎo)體，主要有硅(Si)、鍺(Ge)和砷化鎵（GaAs)等。*半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：熱敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)光敏性：當(dāng)受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化 摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電能力明顯改變*完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的鍺、硅、硒，稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。

2、*半導(dǎo)體有兩種導(dǎo)電粒子（載流子）：自由電子、空穴*摻入五價(jià)磷元素?fù)诫s后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱(chēng)為電子半導(dǎo)體或 N 型半導(dǎo)體。*摻入三價(jià)硼元素?fù)诫s后空穴數(shù)目大量增加，空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體。*無(wú)論 N 型或 P 型半導(dǎo)體都是中性的，對(duì)外不顯電性。*PN 結(jié)PN 結(jié)：P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體交界面的特殊薄層PN 結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的形成：P 區(qū)

3、 N 區(qū)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋P 區(qū) 空間電荷區(qū) N 區(qū)PN 結(jié)及其內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)方向＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋PN 結(jié)的單向?qū)щ娦訮N 結(jié)具有單向?qū)щ姷奶匦裕彩怯?PN 結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件的主要工作機(jī)理。1. PN 結(jié)外加正向電壓（也叫正向偏置）時(shí)，如圖所示：正向偏置時(shí)外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反，內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大大超過(guò)少子的漂移運(yùn)動(dòng)，N 區(qū)的電子不斷擴(kuò)散到 P 區(qū)，P 區(qū)的空穴也不