模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)科學(xué)出版社廖惜春最完整版包括選擇題+填空題第2章+半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用b

1、第2章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用5第2章半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)器件基礎(chǔ)2.1教學(xué)基本要求主要知識點(diǎn)教學(xué)基本要求熟練掌握正確理解一般了解半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識本征半導(dǎo)體，摻雜半導(dǎo)體√PN結(jié)的形成√PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴蘌N結(jié)的電容效應(yīng)√半導(dǎo)體二極管二極管的結(jié)構(gòu)及類型√二極管的伏安特性及主要參數(shù)√√二極管的應(yīng)用（整流和限幅）√硅穩(wěn)壓管的伏安特性、主要參數(shù)√硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路√光電二極管，變?nèi)荻O管√晶體管三極管晶體管的結(jié)構(gòu)及其工作原理√電流分配與放大作用√晶體

2、管的工作原理、伏安特性及主要參數(shù)√場效應(yīng)管場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與類型√場效應(yīng)管的工作原理√場效應(yīng)管的伏安特性及主要參數(shù)√場效應(yīng)管放大器的結(jié)構(gòu)√2.2重點(diǎn)和難點(diǎn)一、重點(diǎn)1理解PN結(jié)的形成和特點(diǎn)。2理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?、半?dǎo)體二極管的伏安特性。二、難點(diǎn)1正確理解PN結(jié)的組成及其工作原理。2正確理解二極管(包括穩(wěn)壓管)的伏安特性和特點(diǎn)。2.3知識要點(diǎn)什么是半導(dǎo)體N型和P型半導(dǎo)體1半導(dǎo)體與半導(dǎo)體與PN結(jié)PN結(jié)的形成PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)的伏安特性

3、第2章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用72半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)在硅或鍺的本征半導(dǎo)體中，由于原子排列整齊和緊密，原來屬于某個原子的價電子，可以和相鄰原子所共有，形成共價鍵結(jié)構(gòu)。圖21所示為硅和鍺共價鍵的(平面)示意圖。3載流子在絕對零度和未獲得外加能量時，半導(dǎo)體不具備導(dǎo)電能力。但由于共價鍵中的電子為原子核最外層電子，在溫度升高或者外界供給能量下最外層電子容易被熱激發(fā)成為自由電子，如圖22所示。共價鍵失去電子后留下的空位稱為空穴，電子和空穴成對出現(xiàn)，稱為

4、載流子電子和空穴成對出現(xiàn)，稱為載流子。空穴參與導(dǎo)電是半導(dǎo)體導(dǎo)電的特點(diǎn)，也是與導(dǎo)體導(dǎo)電最根本的區(qū)別。2.4.3N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體為了提高本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力，應(yīng)增加載流子的數(shù)目，在本征半導(dǎo)體中摻入微量的其它元素（稱為摻雜），形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。1N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體如果在硅或鍺的本征半導(dǎo)體中摻入微量的5價元素（如磷）后，其自由電子數(shù)目遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)目，故這種半導(dǎo)體稱為N型電子半導(dǎo)體，簡稱N型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體中自由電子為多數(shù)

5、載流子（多子），空穴為少數(shù)載流子（少子），磷原子稱為施主雜質(zhì)施主雜質(zhì)。而且多數(shù)載流子決定于摻雜濃度，少數(shù)載流子取決于溫度。2P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體如果在硅或鍺的本征半導(dǎo)體中摻入微量的3價硼（B）元素，則形成P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴的數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于自由電子數(shù)，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子，故P型半導(dǎo)體也稱為空穴半導(dǎo)體，硼原子稱為受主雜質(zhì)受主雜質(zhì)。無論是N型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體，盡管有一種載流子占多數(shù)，但整體上仍然是電中性的。2