霍爾元件應用霍爾效應的半導體

1、1、霍爾元件霍爾元件應用霍爾效應的半導體。2、霍爾效應置于磁場中的靜止載流導體，當它的電流方向與磁場方向不一致時，載流導體上平行于電流和磁場方向上的兩個面之間產生電動勢差，這種現(xiàn)象稱霍爾效應。3、霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH在磁場不太強時，霍爾電勢差UH與激勵電流I和磁感應強度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH=RHIBδ，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應的強弱。另RH=μρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移

2、率μ的乘積。4、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）霍爾靈敏度與霍爾系數(shù)成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即KH=RHδ，它通?？梢员碚骰魻柍?shù)。5、霍爾額定激勵電流當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。6、霍爾最大允許激勵電流以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。7、霍爾輸入電阻霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。8、霍爾輸出電阻霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸入電阻。9、霍爾元件的電阻溫度

3、系數(shù)在不施加磁場的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時，電阻的相對變化率，用α表示，單位為%℃。10、霍爾不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。11、霍爾輸出電壓在外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為霍爾輸出電壓。12、霍爾電壓輸出比率霍爾不等位電勢與霍爾輸出電勢的比率13、霍爾寄生直流電勢在外加磁場為零、霍爾元件用交流激勵時，霍爾電極

4、輸出除了交流不等位電勢外，還有一直流電勢，稱寄生直流電勢。14、霍爾不等位電勢在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時，不等位電勢的相對變化率。15、霍爾電勢溫度系數(shù)頭端面上，調節(jié)W2使DVM的示值為1V即可。本高斯計檢測時示值如果為200mV，則探頭端面檢測的是S極，磁場強度為002T。本高斯計也可用來測量交變的磁場，不過DVM應改為交流電壓表。顯然使用圖1的電路可以很方便地擴展普通數(shù)字萬用表的功能。用UGN35

5、01T還可以十分方便地組成如圖2所示的鉗形電流表。將霍爾元件置于鉗形冷軋硅鋼片的空隙中，當有電流流過導線時，就會在鉗形圓環(huán)中產生磁場，其大小正比于流過導線電流的安匝數(shù)；這個磁場作用于霍爾元件，感應出相應的霍爾電勢，其靈敏度為7V／T，經過運放μA741調零，線性放大后送入DVM，組成數(shù)字式鉗形電流表。該表的調試也十分簡單：導線中的電流為零時，調節(jié)W1、W2使DVM的示值為零。然后輸入50A的電流，調W3使DVM讀數(shù)為5V；反向輸入50A

6、電流，數(shù)字表示值為5V。反復調節(jié)W1、W2、W3，讀數(shù)即可符合要求。本鉗形電流表經實驗，其靈敏度不小于0.1V／A，同樣，本電流表也可用于交流電流的測量，將DVM換成交流電壓表即可，十分方便。3開關型霍爾傳感器的原理及應用開關型霍爾傳感器的原理及應用開關型霍爾傳感器可分為單穩(wěn)態(tài)和雙穩(wěn)態(tài)，內部均有5個部分，即由穩(wěn)壓源、霍爾電勢發(fā)生器、差分放大器、施密特觸發(fā)器以及輸出級組成。雙穩(wěn)態(tài)傳感器具有兩組對稱的施密特整形電路。圖3是單穩(wěn)態(tài)開關集成霍爾