層狀鈣鈦礦型nlafe0.5co0.5o3bi4ti3o12薄膜的多鐵性能及其回線動力學研究_第1頁
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1、分類號：O484.5密級：UDC：538.9學校代碼：11065碩士學位論文層狀鈣鈦礦型層狀鈣鈦礦型nLaFe0.5Co0.5O3Bi4Ti3O12薄膜的多鐵性能及其回線動力學研究薄膜的多鐵性能及其回線動力學研究張燦指導教師盧朝靖教授學科專業(yè)名稱物理學論文答辯日期2017年6月4日IIAbstractIndertosynthesizesinglephaseroomtemperaturemultiferroicnLaFe0.5Co0.5O

2、3Bi4Ti3O12(nLFCBTO)materialsthispaperconceivesingtheantiferromagicnLaFe0.5Co0.5O3(LFC)(n=0.51)unitintotheferroelectricBi4Ti3O12(BTO)matrixoflayeredperovskite.SinglephasemultiferroicnLFCBTOthinfilmsweresuccessfullyprepare

3、don(111)PtTiSiO2Si(100)viaasolgelprocessferroelectricitydielectricitymagismmagodielectriceffectofthinfilmswerestudied.Toobtainsomeinfmationaboutferroelectricdomainstructurepolarizationreversethedynamichysteresisscalingft

4、hinfilmsarefurtherdiscussed.Themainresultsconclusionsareasfollows：1.nLFCBTOthinfilmsweredepositedonPtTiSiO2Sisubstratesthroughasolgelprocess.ThefilmshaveasinglephaselayeredAurivilliusstructureofthespacegroupFmm2indicatin

5、gthattheantiferromagicLFCunitissuccessfullyedintotheferroelectricBTOmatrixofthethreelayeredperovskite.2.The0.5LFCBTOLFCBTOfilmsallpresentobviousferroelectricmagicpropertiesatroomtemperature.Aremanentpolarization2Prasatur

6、atedmagizationMsof0.5LFCBTOfilmsare~48?Ccm2~2.0emucm3respectivelyThe2PrMsvaluesofLFCBTOfilmsare~42?Ccm2~7.2emucm3respectively.Meimptantlytheroomtemperaturemagodielectriceffectwereallobservedinthe0.5LFCBTOLFCBTOfilmsproba

7、blyresultingfromspinreientationunderappliedmagicfieldsbyaffectingtheinteractionbetweenthelocaldipolesofFe2Fe3.Underthemagicfieldof0.5Tthemagodielectriccoefficient(MDC)of0.5LFCBTOLFCBTOfilmsare~0.75%~3.8%respectively.3.Tw

8、okindsofdielectricanomalypeaksallappearfromdielectricspectrumsofthe0.5LFCBTOLFCBTOfilms.Twokindsofdielectricanomalypeaksindicatetwotypesofdielectricrelaxationbehavis.ThisstudyprovidessupptfthecoexistenceofFe2Fe3existence

9、ofoxygenvacancyinthefilms.4.InhighE0highfthescalingpowerlawof0.5LFCBTOLFCBTOfilmscanbeexpressedby∝f0.071E01.856∝f0.197E01.751respectively.Theabsolutevalueofexponent???ftwokindsofthinfilmsislowerthanthatofotherferroelectr

10、icfilms.Thisindicatesthat0.5LFCBTOLFCBTOfilmshaveallthestrongabilityofthedomainreversalgoodfrequencystability.InshtthenLFCBTOfilmsareappropriatefdevelopingferroelectricromaccessmemy.Keywds:nLaFe0.5Co0.5O3Bi4Ti3O12thinfil

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