垂直雙擴(kuò)散MOSFET柵電阻的測(cè)試研究.pdf_第1頁(yè)
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1、蘇州大學(xué)碩士學(xué)位論文垂直雙擴(kuò)散MOSFET柵電阻的測(cè)試研究姓名：周金峰申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：電子與通訊工程指導(dǎo)教師：王明湘虞強(qiáng)20071101StxldyOnTestingforGateResistanceofVerticalDoublediffused^!蜱FE!————————AbstractStudyonTestingforGateResistanceofVerticalDoubledi仃usedMOSFETAbstractVe

2、rticalDouble—diffusedMOSFET(VDMOSFET)isamaintypeamongcurrentPowerMOSFET’SForVDMOSFETtheswitchingperformanceisquiteimportantforitsapplicationandmainlydependsontheproductoftheequivalentGateresistance＆betweenGateandSourcean

3、dinputcapacitanceCissThispaperwillpresenttheadvantagesandapplicationsofVDMOSFETanditsstructure，workingprinciple，manufacturingprocessandequivalentcircuitmodelThispaperwilldescribeeachcomponentofGateresistance心andGatecapac

4、itanceCgbasedontheVDMOSFETdevice，andgiveananalysisoftheeffectofGateresistanceontheswitchingperformanceofVDMOSFETdeviceduringgateChargedischargeandintroducehowtodecreasetheGateresistanceandGatecapacitanceThispaperwillpres

5、entalsoseveralkindsoftestingmethodandtestingequipmentsonimpedance，twotestingequipmentsHP4285AandIpTestMostrakCallbeselectedtotesttheGateresistanceRgandGatecapacitanceCgitwillanalyzetheeffectontestingofKandCgunderdifferen

6、ttestingfrequencyandDCbiasVGSbasedontheMISCVcufveThroughaseriesoftestingexperiments誦tllvariableDCbiasVos，frequencyandACsigrlalinputanoptimum＆testingmethodologyisdevelopedfordevicecharacterizationUndersuchconditions，麗meno

7、ughnegativeDCbiasforNtypeVDMOSFETandpositiveDCbiasforPtypeVDMOSFETthedeviceisinaccumulationstate，andprovidingasmallACsignalinputwi也thefrequencyIMHzstablevalueof＆andCgCanbeobtainedUsingthisKtestingmethodsomeofthechipfabri

8、cationandpackageprocessesinduceddefectsCanbesuccessfullyidentifiedThispaperwilldescribesomeofthedevicefabricationrelatedissues，suchasimproperionimplantationofgatedopingandthemetalcontactdefects，andthewirebondingproblemsi

9、nthepackagingprocess，suchasbondingliftandheelcrackofthegatewireforVDMOSFETThesedefectsarcdifficulttodiscoverthroughageneralDCmeasurementmethodbutCanbeidentifiedthroughtheKtestingthispaperdescribedKeywords：VDMOSFETSwitchi

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