RSD脈沖發(fā)生器主回路與觸發(fā)回路研究.pdf

1、大功率超高速半導體開關(guān)RSD（ReverselySwitchedDynistor）具有通流能力強、高、開通速度快、功耗低、壽命長、重復頻率高及易于串并聯(lián)構(gòu)成系統(tǒng)使用等特點，是脈沖功率開關(guān)的理想選擇之一。為了避免RSD在開通過程中因預充不足而損壞，本文從RSD的開通機理和正常開通條件著手，對采用直接式和振蕩式的預充電路用常見的電路模型進行了分解，分別理論推導出兩種電路提供的預充電荷量的計算式,為觸發(fā)電路參數(shù)的選取提供依據(jù)；為獲得所需的電流

2、脈沖，分析了主回路過阻尼和欠阻尼的設計方法，同時也分析了主回路中的雜散電感及雜散電容，分別給出了兩者的估算方法及減小措施。為驗證電路設計的合理性，進行了大量試驗并對結(jié)果進行了分析與討論。用磁開關(guān)作為主電路和觸發(fā)電路間的隔離器能得到較好的測試結(jié)果，但也引入了飽和電感這一不利因素。為了更好地應用磁開關(guān)，文中較詳細地敘述了磁開關(guān)的基礎理論。根據(jù)RSD兩種預充電路的工作過程，分別推導出磁開關(guān)繞組匝數(shù)、磁芯截面積、磁通變化量三者乘積的表達式，作為