基于憶阻器的邏輯門實現(xiàn).pdf

1、憶阻器是一種由蔡少堂教授于1971年預測,并由惠普實驗室的科學家于2008年證實其物理存在的一種納米級非線性無源元件,其以納米級的尺寸、非線性、具有記憶功能等特點在模型分析、基礎電路設計、電子器件設計、集成電路設計以及生物神經系統(tǒng)仿真等方面得到了很大的關注。
　　 本文分析了憶阻器的特性及相關文獻的研究工作,指出現(xiàn)有文獻中用憶阻器實現(xiàn)邏輯電路中所存在的一些問題,通過分析晶體管的開關作用以及二極管的單向導通性,并將其與憶阻器的電阻

2、變化特性相比較,由此提出了一種僅僅使用憶阻器元件實現(xiàn)用電壓表示邏輯狀態(tài)的基本邏輯門電路方案。理論分析及SPICE仿真實驗結果證實了所設計的門電路實現(xiàn)了基本的布爾邏輯功能,并用所設計的基本邏輯門電路構造了一些組合邏輯電路,對所設計的組合邏輯電路的理論分析及仿真實驗進一步證實了本文所提出方法的可行性與正確性。用純憶阻器設計的邏輯門電路不需要使用晶體管、固定電阻等元件,實現(xiàn)的邏輯門無需時序操作就能工作,在電路尺寸、集成密度、電路功耗等方面擁有