碲鋅鎘單晶體的生長與缺陷.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碲鋅鎘(Cd<,x>Zn<,x>Te)(以下簡稱CZT)是一種重要的新型室溫核輻射探測器材料,在許多方面均有重要用途,是目前固溶化合物半導體材料研究的前沿.由于其自身特點,采用傳統(tǒng)布里奇曼法很難制備出高質量的單晶體,且存在于晶體中的缺陷對探測器的性能有著極大的影響.針對于此,該文對改進的布里奇曼法(坩堝下降法)生長CZT單晶體及晶體缺陷進行了深入研究.首先,該文從理論上對坩堝下降法生長碲鋅鎘單晶體中的成核、Zn分凝、幾何淘汰生長與溫場等

2、關鍵性問題進行了討論,對在生長過程中可能出現(xiàn)的各種缺陷類型和形成原因進行了詳細分析,提出了碲鋅鎘單晶體生長過程中Cd空位缺陷控制原理及方法,并針對坩堝下降法生長特點自行設計了兩區(qū)域獨立加熱管式生長爐,獲得具有較好線性分布的溫場.同時對晶片的加工工藝進行了初步研究,分析了CZT單晶體的解理特性,研究了不同的CZT腐蝕液,并使用改進的E<,Ag>-I腐蝕液采用蝕坑分析法利用AFM、SEM、紅外透過率以及顯微照相等手段對晶體缺陷進行了研究,得

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