納米碳化硅薄膜和納米碳化硅晶須的光電性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文納米碳化硅薄膜和納米碳化硅晶須的光電性質(zhì)研究姓名：張洪濤申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：徐重陽2002.7.12華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文釋。認(rèn)為這一現(xiàn)象主要是Auger過程所導(dǎo)致。其次，拉曼受激散射的閩值大為降低，表明納米碳化硅晶須的拉曼散射截面大大增加。觀察到納米碳化硅晶須的極高強(qiáng)度的帶間發(fā)光現(xiàn)象。此外，采用紫外光激發(fā)在深紫#bN(39eV)產(chǎn)生高強(qiáng)度發(fā)光的現(xiàn)象，暗示納米碳化硅晶須可能已經(jīng)

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