碳化硅器件與模型的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅,作為所謂第三代半導(dǎo)體材料的一種,具有優(yōu)越的電學(xué)、熱學(xué)性質(zhì);寬帶隙、高飽漂移速度、高截至電壓、高熱導(dǎo)率等等,因而在高溫、高頻、高壓和大電流場合下有非常好的應(yīng)用前景.該文在碳化硅器件的研制,碳化硅一氧化物（SiO<,2>）界面性質(zhì)的研究,以及器件模型的建立和實(shí)現(xiàn)等三方面進(jìn)行較廣泛而實(shí)際的研究.主要工作如下：1.研制了碳化硅肖特基勢壘二極管.2.把分形理論引入到碳化硅器件的研究,探索了碳化硅場效應(yīng)器件中SiC/SiO<,2>界面粗糙散

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