Si3N4陶瓷二次部分瞬間液相連接技術(shù)研究.pdf

1、本文在真空條件下，進(jìn)行了Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4的部分瞬間液相 (PTLP) 連接和Si3N4/Ti/CuNi/Cu/Ti/Si3N4的二次PTLP連接試驗(yàn)，測(cè)定了連接接頭的室溫四點(diǎn)彎曲強(qiáng)度。采用SEM、EDS等微觀分析手段分析了連接界面區(qū)域的元素分布和界面結(jié)構(gòu)，研究了中間層厚度、連接工藝參數(shù)等對(duì)反應(yīng)層厚度和接頭室溫強(qiáng)度的影響。本文采用Ti/Cu/Ti中間層對(duì)Si3N4陶瓷進(jìn)行PTLP連接，得到了在本文試驗(yàn)范圍內(nèi)，采用

2、Ti箔厚度為10μm、Cu箔厚度為250μm，在1050℃、保溫3h的試驗(yàn)條件下所得Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4連接接頭的室溫四點(diǎn)彎曲強(qiáng)度最高，為209.5Mpa。研究表明：Ti箔過薄時(shí)由于不能形成連續(xù)的反應(yīng)層導(dǎo)致連接強(qiáng)度極低，但當(dāng)Ti箔過厚時(shí)則因脆性反應(yīng)層過分增厚，使連接強(qiáng)度降低；在PTLP連接時(shí)，當(dāng)連接溫度和保溫時(shí)間不變，且連接時(shí)間能保證等溫凝固過程充分進(jìn)行的條件下，Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4連接界面結(jié)構(gòu)、