SiGe工藝整數(shù)頻率合成器設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、隨著無(wú)線通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,本振信號(hào)越來(lái)越重要。相對(duì)于其他結(jié)構(gòu)頻率合成器,鎖相環(huán)頻率合成器可提供高質(zhì)量的本振信號(hào)。本設(shè)計(jì)在選用ADS設(shè)計(jì)軟件環(huán)境,采用ATMEL SiGe-HBT0.8um工藝的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)頻率范圍為1.16GHz~1.218GHz整數(shù)頻率合成器的設(shè)計(jì)。本文首先介紹了ADS和SiGe-HBT工藝特點(diǎn),以及常用工藝之間的區(qū)別。在此基礎(chǔ)上,完成了鎖相環(huán)電路關(guān)鍵無(wú)源器件電感和可變電容的選取和設(shè)計(jì)。其中分析了電感和可變電容對(duì)電路性

2、能影響。然后,本文在對(duì)電荷泵式鎖相環(huán)頻率合成器原理知識(shí)指導(dǎo)下,完成了電路各個(gè)模塊的設(shè)計(jì)和仿真。重點(diǎn)研究了高性能雙交叉耦合VCO實(shí)現(xiàn)和高頻下可編程2/3分頻器的電路實(shí)現(xiàn)。最后,完成了整個(gè)環(huán)路的MATLAB/Simulink的系統(tǒng)建模的理想仿真以及ADS完成的實(shí)際整體環(huán)路仿真。得到的實(shí)際鎖定曲線很好的匹配了理想仿真曲線。
   通過(guò)對(duì)頻率合成器設(shè)計(jì)仿真,得到頻率鎖定范圍覆蓋了1.16GHz~1.218GHz,鎖定時(shí)間為6us,在1M

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