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1、本文是以h-BN、非晶SiO2、硅溶膠和AlN為原料,采用冷等靜壓后1800℃無(wú)壓燒結(jié)的工藝制備BN基復(fù)合陶瓷。實(shí)驗(yàn)通過(guò)改變硅溶膠、SiO2粉末的比例以及復(fù)合材料中AlN粉末的含量,探索SiO2引入方式和AlN含量對(duì)BN基復(fù)合陶瓷綜合性能的影響。本課題利用XRD、SEM和TEM等分析手段及萬(wàn)能實(shí)驗(yàn)機(jī)等設(shè)備,全面分析了AlN的含量和硅溶膠的加入量對(duì)BN基復(fù)合陶瓷微觀組織,力學(xué),熱學(xué)及介電性能的影響,擬為防熱透波一體化陶瓷材料提供參考。
2、r> 結(jié)果表明,這種方式制備的BN基復(fù)合材料,添加硅溶膠之后,復(fù)合材料的密度小幅升高后有所下降。而且在無(wú)壓燒結(jié)前后,復(fù)合材料均在一定范圍內(nèi)發(fā)生了膨脹現(xiàn)象。
BN基復(fù)合材料的室溫抗彎強(qiáng)度最大值為71.3±0.6MPa,而且隨著硅溶膠含量的升高,材料的抗彎強(qiáng)度逐漸呈下降趨勢(shì)。SiO2純粉末形式引入的復(fù)合陶瓷的抗彎強(qiáng)度明顯高于純?nèi)苣z形式引入的復(fù)合陶瓷抗彎強(qiáng)度。對(duì)無(wú)壓燒結(jié)后的BN基復(fù)合材料在900℃-1200℃之間進(jìn)行高溫力學(xué)性能測(cè)
3、試,測(cè)試結(jié)果表明:AlN含量為10vol%、SiO2以純粉末形式引入的復(fù)合材料抗彎強(qiáng)度在1000℃以前都基本保持不變,但當(dāng)溫度升高到1100℃時(shí),抗彎強(qiáng)度不下降反而升高,溫度繼續(xù)升至1100℃時(shí),它的抗彎強(qiáng)度可達(dá)98.5±4.0MPa,與室溫相比,升幅達(dá)38.1%。而AlN含量升高時(shí),即AlN含量為15vol%、SiO2以純粉末形式引入的復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度在1000℃以前呈緩慢升高趨勢(shì),1000℃的抗彎強(qiáng)度是83.1±2.4MPa,當(dāng)溫
4、度達(dá)到1200℃時(shí),材料的抗彎強(qiáng)度開(kāi)始下降,降幅為10.6%。
各個(gè)組分的線膨脹量之間數(shù)值差別不大,曲線基本重合,線膨脹量在10-3數(shù)量級(jí)。AlN含量對(duì)復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)影響并不大,但當(dāng)AlN含量到5vol%時(shí),1000℃前復(fù)合材料的線膨脹量明顯低于其它組分。
硅溶膠的添加使得BN基復(fù)合材料的介電常數(shù)和介電損耗都有所減小。添加AlN之后,復(fù)合材料的介電常數(shù)和介電損耗都比之前增大許多。復(fù)合材料的介電常數(shù)介于2-4之間
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