PIN光電探測(cè)器組件的設(shè)計(jì).pdf

1、本文主要對(duì)PIN光電探測(cè)器組件進(jìn)行了研究，首先介紹了本課題的研究背景和意義、國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀及光電探測(cè)器組件的應(yīng)用。其次分析了PIN光電探測(cè)器的工作原理及PIN光電探測(cè)器的性能參數(shù);然后對(duì)PIN光電探測(cè)器的的放大電路進(jìn)行了介紹及性能分析;最后對(duì)組件的綜合性能指標(biāo)和組件的應(yīng)用進(jìn)行了分析。
　　 然后根據(jù)分析，以及組件的性能指標(biāo)要求:該線陣光電探測(cè)組件的敏感元元數(shù)為8元，單元光敏面積為1×0.4mm，單元間隔為0.9mm，敏感區(qū)總長(zhǎng)度

2、不超過(guò)10mm;敏感元間串?dāng)_:≤3％;上升時(shí)間:tr≤12ns;中心響應(yīng)波長(zhǎng):860nm;響應(yīng)度:≥1×105V/W;噪聲峰峰值≤25mv;光窗加濾光膜860±10nm;封裝:TO-25，直徑φ25mm，不含管腳高度≤25mm;單電源供電:+15V;輸出脈沖極性:正脈沖;輸出阻抗:≤100Ω;最大輸出幅度:≥3V;環(huán)境特性要求:儲(chǔ)存溫度:-50℃～+65℃，工作溫度-40℃～+50℃。然后對(duì)本設(shè)計(jì)中的8象元陣列進(jìn)行了暗電流性能分析、象元

3、串?dāng)_分析、象元輸出一致性分析以及探測(cè)器的結(jié)構(gòu)優(yōu)化分析。
　　 然后設(shè)計(jì)了光刻版圖和芯片生產(chǎn)的整個(gè)工藝流程，保證了芯片的順利流片，最后對(duì)生產(chǎn)的PIN光電探測(cè)器芯片進(jìn)行了中測(cè)測(cè)試，測(cè)試其暗電流特性，驗(yàn)證整個(gè)芯片的性能。對(duì)探測(cè)器的放大電路進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化設(shè)計(jì)。根據(jù)組件的應(yīng)用的激光的波長(zhǎng)，探測(cè)器芯片的性能參數(shù)，對(duì)放大電路的各個(gè)模塊進(jìn)行了理論分析及性能優(yōu)化，從而設(shè)計(jì)了完整的放大電路的結(jié)構(gòu)。然后根據(jù)放大電路結(jié)構(gòu)和探測(cè)器芯片模型對(duì)電路進(jìn)行了仿真