不同基因型西瓜（Citrullus lanatus）硼素營養(yǎng)生理的研究.pdf

1、本研究以西瓜品種“勇士”、“黑美人”和“建籽”為材料，設(shè)0，0.05，0.20，0.60 mmol·L-1四個(gè)硼濃度，砂培研究硼對(duì)不同基因型西瓜生長、光合系統(tǒng)和抗氧化系統(tǒng)的影響。主要研究結(jié)果如下： 1.硼脅迫降低了3個(gè)品種西瓜株高、莖粗和生物產(chǎn)量等。高硼脅迫對(duì)西瓜農(nóng)藝指標(biāo)的影響大于缺硼脅迫。不同基因型西瓜存在著硼效率差異，3個(gè)供試品種中，以“勇士”和“建籽”硼效率為高，“黑美人”硼效率較低。 2.西瓜生長初期缺硼癥狀不明

2、顯，處理15d后才表現(xiàn)出癥狀，西瓜硼中毒則較早表現(xiàn)癥狀。缺硼脅迫主要作用于西瓜地上部，尤其是頂端生長點(diǎn)；高硼脅迫首先作用于西瓜的地下部和底部葉片，并逐步向上發(fā)展。 3.硼脅迫使西瓜葉片的OEC受到嚴(yán)重?fù)p傷，阻礙了水的光解和放氧，影響PSⅡ的反應(yīng)中心獲得電子，非QA還原反應(yīng)中心比例上升。硼脅迫嚴(yán)重傷害了西瓜葉片PSⅡ受體側(cè)，阻礙了反應(yīng)中心傳遞電子，非QB還原反應(yīng)中心比例也上升。硼脅迫還阻礙了西瓜葉片的非環(huán)式光合電子傳遞，進(jìn)而對(duì)光合

3、作用的暗反應(yīng)產(chǎn)生影響，并可能加大了西瓜葉片的假環(huán)式光合電子傳遞，促使生成大量O2-。 4.本研究獲得不同濃度硼處理下，西瓜葉片PSⅡ反應(yīng)中心的能量流動(dòng)模型，并由此推斷出硼脅迫使西瓜光合速率下降是因光合系統(tǒng)的電子傳遞能力減弱，而葉綠素含量下降可能不是西瓜光合速率下降的主要原因。 5.硼脅迫使西瓜葉片大量產(chǎn)生O2-、H2O2，使膜脂發(fā)生過氧化反應(yīng)，引起MDA的積累，進(jìn)而導(dǎo)致葉片細(xì)胞的大量死亡，活性氧的產(chǎn)生也調(diào)動(dòng)了西瓜的抗氧化

4、系統(tǒng)。硼脅迫下西瓜葉片POD和APX活性上升，CAT活性下降，但仍然無法完全抵御硼脅迫帶來的活性氧傷害。硼脅迫使3個(gè)品種西瓜葉片SOD活性的變化有差異，說明各品種西瓜的抗氧化能力有所不同，其中以“勇士”品種對(duì)逆境脅迫抗性較強(qiáng)。 6.硼脅迫使3個(gè)品種西瓜葉片的APX、MDAR和GR活性上升，DHAR活性、ASA/DASA和GSH/GSSG的比例下降，AsA-GSH循環(huán)被阻礙，加劇了活性氧的積累。因非環(huán)式光合電子傳遞受阻，AsA-G