大功率MOSFET振蕩器電路的設(shè)計(jì).pdf

1、本文主要內(nèi)容是用MOSFET設(shè)計(jì)單管正弦波振蕩器,且要求振蕩器能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、輸出功率為100W、振蕩頻率為13.56MHz輸出信號(hào)。
　　 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和電子產(chǎn)品在實(shí)際中的廣泛應(yīng)用,振蕩器的大功率化、高頻率化是發(fā)展的必然趨勢(shì)。目前,振蕩器己廣泛應(yīng)用于電視臺(tái)、電臺(tái)、通訊、手機(jī)、軍事電子對(duì)抗和工業(yè)領(lǐng)域中。比如我們所熟知的電子測(cè)量?jī)x器中的正弦波信號(hào)源,超外差接收機(jī)中的本振信號(hào)源,無(wú)線發(fā)射機(jī)中的載波信號(hào)源,數(shù)字系統(tǒng)中的時(shí)鐘信號(hào)源

2、等,高頻加熱設(shè)備和醫(yī)用電療儀器中的正弦交變能源,都是正弦波振蕩器在實(shí)際中的一些應(yīng)用。
　　 振蕩器是通過(guò)自激方式把直流電能變換為交流電能的一種電子線路。在電子設(shè)備中,正弦波振蕩器多是利用正反饋放大器的原理構(gòu)成的,稱為反饋振蕩器(其工作頻率范圍為-赫茲～幾百兆赫茲)。它是由基本放大器、選頻網(wǎng)絡(luò)和正反饋網(wǎng)絡(luò)組成的,其中的功率MOSFET放大器本文采用的是C類功率MOSFET放大器。
　　 本文對(duì)晶體管的選取和晶體管的基本特性