四通道可變?cè)鲆娣糯笃髂K研制.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，多功能集成電路及多芯片模塊(MCM)技術(shù)正逐步在射頻通信中廣泛使用，采用這些技術(shù)實(shí)現(xiàn)的多功能、小型化專(zhuān)用集成電路(ASIC)正在逐漸替代傳統(tǒng)的單一功能射頻集成電路和模塊，多功能ASIC的出現(xiàn)使得射頻鏈路的設(shè)計(jì)大為簡(jiǎn)潔，目前在GSM、TDSCDMA等基站射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)中正在逐漸被采用，它們或者將上下變頻功能和放大器集成在一起，或者將多個(gè)通道集成在一起，使得通信系統(tǒng)的射頻鏈路設(shè)計(jì)大大簡(jiǎn)化，多功能的射頻ASIC正成為射頻器

2、件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。
　　 本課題完成了砷化鎵四通道可變?cè)鲆娣糯笃髂K的研制工作，該產(chǎn)品包含砷化鎵放大器、數(shù)控衰減器、開(kāi)關(guān)以及無(wú)源功分器和驅(qū)動(dòng)器芯片，并采用MCM技術(shù)，將多種芯片高密度的封裝到單個(gè)LGA基板上，最終完成具有較復(fù)雜功能、多通道集成的ASIC。
　　 本文設(shè)計(jì)的砷化鎵電路芯片均采用砷化鎵贗配高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)管器件（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PHEMT）制作，驅(qū)動(dòng)器芯片采用硅互補(bǔ)型雙極晶體管器件(以下簡(jiǎn)稱(chēng)硅CMOS)制作，采用PH

3、EMT制作了一顆集成了放大器、數(shù)控衰減器、開(kāi)關(guān)和功分器的多功能芯片，采用CMOS工藝制作了一顆串并轉(zhuǎn)換芯片，在本文中，詳細(xì)闡述了這些芯片所采用的工藝路徑、器件模型以及電路拓?fù)湓O(shè)計(jì)和版圖繪制。
　　 另外，多芯片MCM產(chǎn)品研究的另一個(gè)重要內(nèi)容是討論了幾種可以采用的制作MCM多芯片模塊產(chǎn)品的方法，分析了各種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，然后，本文針對(duì)本課題研發(fā)產(chǎn)品所采用的MCM-L制成進(jìn)行了重點(diǎn)研究。
　　 該產(chǎn)品在項(xiàng)目結(jié)束時(shí)完成一系列芯片