具有瞬態(tài)尖峰電壓保護功能的半橋驅(qū)動電路分析與設(shè)計.pdf

1、可靠性是衡量集成電路性能的重要指標(biāo)，半橋電路工作頻率的增加，使電路寄生參數(shù)所帶來的瞬態(tài)效應(yīng)變得更加重要。瞬態(tài)效應(yīng)引起的尖峰電壓導(dǎo)致功率MOSFET和驅(qū)動電路功能的混亂，引起半橋電路功耗的增加并破壞電路的可靠性。本論文重點研究瞬態(tài)效應(yīng)導(dǎo)致的尖峰電壓的產(chǎn)生原因與影響程度，進而給出了保護電路設(shè)計方案。
　　本論文首先介紹了自舉式半橋電路的結(jié)構(gòu)與工作原理。考慮功率MOSFET及驅(qū)動電路的主要寄生參數(shù)，建立電路的等效模型，詳細分析了瞬態(tài)尖峰

2、電壓產(chǎn)生的原因，隨后具體研究了瞬態(tài)尖峰電壓對功率MOSFET與驅(qū)動電路的影響。根據(jù)電路閉鎖的原理，提出了一種保護電路，該電路由采樣檢測電路、復(fù)位電路及邏輯控制電路三個子模塊組成，實現(xiàn)了對工作狀態(tài)信號的鎖存，并輸出帶有回滯的電路鎖定信號，提高了電路的可靠性。在所提出保護電路的基礎(chǔ)上，本論文設(shè)計了一款改進后的半橋驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路通過欠壓保護電路與過流保護電路，實現(xiàn)了電路保護功能，提高了驅(qū)動電路抗瞬態(tài)尖峰電壓的干擾能力。本論文使用了3μm