Ga2O3材料的制備及其性能研究.pdf

1、Ga2O3是一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料。除了優(yōu)異光電特性外，Ga2O3材料還具有良好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。其中，單斜晶系的?-Ga2O3薄膜在深紫外區(qū)域高度透明，其透過率能達(dá)到80％以上，具有制備深紫外透明導(dǎo)電薄膜的天然優(yōu)勢。同時(shí)，Ga2O3材料還表現(xiàn)出良好的氣敏特性，是制備高溫氧敏器件的候選材料，因而成為當(dāng)前的一個(gè)研究熱點(diǎn)。隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體光電探測技術(shù)的不斷發(fā)展，紅外探測技術(shù)因紅外線能夠穿透大氣層而受到自然環(huán)境的干擾比較嚴(yán)重，容易發(fā)生

2、虛報(bào)誤報(bào)。而紫外線尤其是日盲紫外（200-280 nm）在進(jìn)入大氣層時(shí)被臭氧層吸收，所以日盲紫外探測可以消除干擾的顧慮，實(shí)現(xiàn)高效精準(zhǔn)的探測，使其在航天、軍事及民用領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用需求。
　　本論文研究了 Ga2O3材料的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、基本性質(zhì)、制備工藝等，并對其在現(xiàn)代信息技術(shù)材料領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行了綜述和展望。磁控濺射是一種低溫高速薄膜沉積工藝，與其他幾種薄膜制備方法比較有成膜質(zhì)量高，成本低的優(yōu)勢。根據(jù)現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，采用射頻磁控濺射技

3、術(shù)生長了 Ga2O3薄膜，并對樣品進(jìn)行了相關(guān)熱處理，采用 X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、紫外-可見分光光度計(jì)以及熒光光譜儀等技術(shù)手段分析了?-Ga2O3薄膜的表面形貌、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及光學(xué)性質(zhì)等。研究了制備工藝的變化以及熱處理方法對 Ga2O3薄膜性質(zhì)的影響，得出采用射頻磁控濺射法制備?-Ga2O3薄膜的最優(yōu)工藝參數(shù)。
　　在制備薄膜的基礎(chǔ)上，采用真空蒸發(fā)法為薄膜制備金屬叉指電極，利用歐姆接觸制成MSM結(jié)構(gòu)探測器件，利用2