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文檔簡介
1、本文對離子注入釩形成半絕緣碳化硅的機理、方法和工藝進行了深入的研究.首先對碳化硅材料中的深能級進行了仔細研究,發(fā)現(xiàn)釩在碳化硅帶隙中引入位于帶隙中央附近的深施主能級和深受主能級,為補償形成半絕緣碳化硅材料奠基了良好的理論基礎(chǔ).討論了形成半絕緣碳化硅材料的機理和工藝方法.釩替代硅的位置,在不同導(dǎo)電類型的碳化硅材料中產(chǎn)生深施主能級或是深受主能級,束縛剩余的自由載流子,完成補償作用.理論分析了離子注入釩在碳化硅材料中的分布情況.釩離子在靶內(nèi)的濃
2、度近似為高斯分布.高溫注入可減少對靶材料的損傷.高溫退火對釩離子的再分布沒有顯著影響,但可以起到激活釩離子電特性、提高補償率的作用.分別采用高能和低能注入進行了實驗研究.p型SiC的釩注入形成電阻率極高、載流子遷移率很小的半絕緣層.n型SiC的釩離子注入,形成較高電阻率的高阻層.高能注入可以形成性能很好的高阻層,但對材料損傷較大.對n型SiC進行了低能常溫注入,常溫注入和低溫退火對提高電阻率起到了積極作用.低能注入形成的高阻層深度較小,
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