對純硅芯光纖特性的分析.pdf

1、在未來超長距離的光纖傳輸系統(tǒng)中，具有低衰減、高穩(wěn)定性的單模光纖是必不可少的。本文所討論的純硅芯單模光纖就具有上面的特點。對于傳統(tǒng)石英系光纖，由于芯層中摻入GeO2等金屬氧化物而使瑞利散射損耗增加；同時，氧化物的摻入破壞了光纖在氫元素和γ-射線輻射環(huán)境中的化學(xué)穩(wěn)定性。純硅芯單模光纖由于在芯層中沒有摻雜，因此具有很好的化學(xué)穩(wěn)定性。由理論和實驗表明，光纖中的損耗主要來自于光纖材料的瑞利敞射損耗和吸收損耗兩個部分。其中吸收損耗由紫外吸收、紅外吸

2、收和氫氧根離子吸收損耗構(gòu)成。瑞利敞射損耗是由光纖材料中不可避免的隨機密度或濃度波動引起的。在光纖的制造工藝中存在著許多引入損耗的因素。通過對多種制造的比較，以及對純硅芯單模光纖其結(jié)構(gòu)特點的分析，總結(jié)了適用于純硅芯光纖的制造工藝。在前面理論分析的基礎(chǔ)上，分析了純硅芯光纖的瑞利散射損耗特性，得到了光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)芯徑和相對折射率差與瑞利散射損耗的關(guān)系。分析表明，單模光纖的瑞利散射損耗與功率限制因子密切相關(guān)，在純硅芯單模光纖中的瑞利散射損耗主要由